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Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

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Dove, <math>\,k_2</math> è un altro coefficiente adimensionale legato al processo. La profondità di fuoco pone delle restrizioni sullo spessore del photoresist e la profondità della topografia sul wafer. La tecnica di Chemical mechanical polishing descritta nel seguito è spesso usata per spianare la topografia prima di passaggi ad alta risoluzione di litografia.
 
Maggiore è NA, maggiore sarà la risoluzione perchè maggiore è il passo reticolare (pitch) risolvibile. La risoluzione aumentapuò ancheessere almigliorata diminuire dellasia lunghezzariducendo d'la ondalunghezza peròd’onda ilche DFaumentando peggiora (noi lo vogliamo grande)NA. Inoltre il DF peggiora inpeggiora modomolto quadraticopiù conrapidamente l' aumentare dellaaumentando NA quindiche sidiminuendo deve fare un compromesso tra risoluzione e DF<math>\lambda</math>. In genere si mantiene una NA non troppo grande proprio perchè c' è questa dipendenza al quadrato del DF con essa.
Si cerca quindi di ottimizzare la sorgente di luce piuttosto che NA. InfattiQuesto sifatto cercaspiega dila faretendenza sorgentidella dilitografia luceottica converso l’uso di lunghezze d'd’onda ondasempre moltopiù piccole.▼
 
▲Si cerca di ottimizzare la sorgente di luce piuttosto che NA. Infatti si cerca di fare sorgenti di luce con lunghezze d' onda molto piccole.
 
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