Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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In seguito il wafer viene sottoposto ad un trattamento termico ad una temperatura superiore ai precedenti trattamenti tra 120 e 180 °C, per qualche decina di minuti. Questo trattamento rende molto più resistente il resist per i processi successivi, ma non è necessario in alcuni processi.
[[Categoria:]]== Risoluzione ==
La possibilità di proiettare una immagine precisa di un piccolo particolare è limitata dalla lunghezza d'onda della luce usata e dalla capacità del sistema di lenti che riducono l'immagine della fotomaschera di avere pochi problemi di diffrazione. Attualmente la fotolitografia usa DUV (deep ultraviolet) in italiano (UV vicino)con lunghezze d'onda tra 248 nm a 193 nm: i particolari più piccoli sono dell'ordine di 50 nm.
Infatti illuminando un reticolo periodico con luce incidente parallelamente alla normale del reticolo, la luce uscente dal reticolo, a causa della diffrazione, non avrà le stesse componenti della luce incidente bensì ci saranno anche componenti di ordine superiore. Per poter riprodurre una immagine si dimostra che devono essere raccolti dalla lente almeno gli ordini numero 0, 1, -1.
Il minimo particolare che il sistema di proiezione può scrivere è dato approssimativamente da:
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:<math>D_F = k_2 \cdot\frac{\lambda}{{NA}^2}</math>
Dove, <math>\,k_2</math> è un altro coefficiente adimensionale legato al processo. La profondità di fuoco pone delle restrizioni sullo spessore del photoresist e la profondità della topografia sul wafer. La tecnica di Chemical mechanical polishing descritta nel seguito è spesso usata per spianare la topografia prima di passaggi ad alta risoluzione di litografia.
Maggiore è NA, maggiore sarà la risoluzione perchè maggiore è il passo reticolare (pitch) risolvibile. La risoluzione aumenta anche al diminuire della lunghezza d' onda però il DF peggiora (noi lo vogliamo grande). Inoltre il DF peggiora in modo quadratico con l' aumentare della NA quindi si deve fare un compromesso tra risoluzione e DF. In genere si mantiene una NA non troppo grande proprio perchè c' è questa dipendenza al quadrato del DF con essa.
Si cerca di ottimizzare la sorgente di luce piuttosto che NA. Infatti si cerca di fare sorgenti di luce con lunghezze d' onda molto piccole.
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