Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

Inoltre un target contiene una grande quantità di materiale e quindi molto raramente occorre rinnovare il materiale del target e questo permette di utilizzare la tecnica anche in [[w:vuoto|vuoto]] molto spinto (UHV). Le sorgenti per lo sputtering non contengono parti calde (per evitare surriscaldamento i catodi sono tipicamente raffreddate ad acqua) e sono compatibili con gas reattivi quali l'[[w:Ossigeno|Osssigeno]]. Mentre l'evaporazione deve necessariamente essere effettuata dal basso verso l'alto, sputtering può essere effettuata anche dall'alto verso il basso, questo permette di evitare che polvere si depositi sui subtrati nel processo di deposizione.

AlcuniGli svantaggi sono che il processo è più difficile da combinare con la tecnica di lift off usata per strutturare nel piano i film, questo a causa del fatto che il trasporto diffusivo, carateristicocaratteristico dello sputtering, rende impossibile una ombra perfetta (cioè il film sputterato

Dove <math>J\ </math> è la densità (unidimensionale) di corrente degli ioni che bombardano il catodo ed è proporzionale alla tensione che decidiamoapplicata e alla quantità di Argon che immettiamo nella camera. q è la carica elettronica e Z è il numero di cariche per ione. <math>F\ </math> è un parametro quantitativo che indica il numero di atomi estratti dalla superficie del target per ione che incide.