Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

L'Ion-beam sputtering (IBS) è un sistema in cui il target è esterno alla sorgente di ioni. In genere gli ioni sono generati da elettroni confinati in una regione in cui è presente un forte campo magnetico. Quindi gli ioni sono accelerati dal campo elettrico verso una griglia in direzione del bersaglio. Un secondo filamento esterno neutralizza la carica degli ioni. Il vantaggio dellIBSdell'IBS è che l'energia e il flusso degli ioni sono controllati in maniera indipendente. PoichèPoiché il flusso che colpisce il bersaglio è fatto di atomi neutri, possono essere sputterati con questa tecnica sia materiali isolanti che conduttori. Questa tecnica trova applicazione nella fabbricazione di dispositivi di piccola dimensione quali le [[w:Testina_induttiva|testine]]

degli hard disk. Viene in generato creato volutamente un gradiente di pressione tra la sorgente di ioni e la camera dove è posto il campione: cioè creando una sovrappressione nella camera della sorgente rispetto alla camera da vuoto e estraendo il gas nella camera da vuoto. Con una tecnica di questo genere si riducono le contaminazione e dà la possibilità di lavorare in Ultra Alto Vuoto (UHV). La tecnica non si presta a depositare grandi superfici e inoltre richiede una continua manutenzione,.