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Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni

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7) Eliminazione del photoresist
 
Per eliminare il photoresist il processo viene effettuato di solito ad una temperatura di circa 300 gradi con un plasma di:
 
<math> O_2, N_2/H_2 e CF_4 \;</math>
 
Tale plasma brucia il photoresist senza impattare la superficie.
 
[[File:PHOTORESIST1.jpg]]
 
[[File:PHOTORESIST2.jpg]]
 
==Vasche per il processo in Wet==
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