Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching: differenze tra le versioni
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Si vanno ora ad analizzare i processi di etch di diversi materiali utilizzati nella realizzazione dei dispositivi. Verrano prese in considerazione le diverse soluzioni acide utilizzate e le reazioni chimiche coinvolte.
In generale si fanno i seguenti '''Processi di Wet''':
1) Rimozione di ossidi, nitruri, polisilicio per attacco chimico isotropo
2) Pulitura della superficie del dispositivo (processo di cleaning)
Infatti quando scavo un contatto nell' ossido, si potrebbe formare ossido nativo all' interno del contatto (ad esempio a contatto con l' aria). Tale contatto poggia sul substrato di silicio. Quando vado a riempire il contatto ad esempio con il polisilicio, il polisilicio si poggerà pure sopra lo strato di ossido nativo che in realtà non fa avvenire il contatto con il substrato. Con un processo di cleaning, prima di riempire il contatto, si rimuove l' ossido nativo e poi si procede con il riempimento del contatto.
In genere si fa un cleaning del substrato anche prima di crescite epitassiali.
3) Riduzione del livello di particelle (particelle di ogni tipo)
4) Eliminazione della contaminazione da metallo
5) Rimozione dei contaminanti organici come ad esempio resist.
6) Rimozione dei polimeri
7) Eliminazione del photoresist
==Vasche per il processo in Wet==
All' interno delle vasche le sostanze chimiche sono tenute in costante ricircolo attraverso un sistema dotato di pompa, di filtro che va a filtrare i residui delle reazioni e di un controllo di temperatura per mantenere la temperatura desiderata.
[[File:VASCAHF.jpg]]
La sostanza chimica durante la sua vita deve essere sostituita perchè accumula contaminanti provenienti dai wafer e perde le dovute concentrazioni (per evaporazione o reazione).
Nella figura si mostra una vasca per processo con HF che non fa uso di Megasonic.
=== Etching del silicio ===
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