Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

Il processo fotolitografico prevede molte fasi, alcune specifiche di alcuni materiali, qui vengono

riassunte le principali.

=== Pulizia ===

Nel caso in cui contaminanti siano presenti sulla superfice del wafer essi vengono preventimante rimossi mediante un trattamento chimico in fase liquida. L'immersione in una soluzione al 50% di [[w:Perossido_di_idrogeno|acqua ossigenata]] (ad alta concentrazione) e acido solforico è in genere la procedura più usata per rimuovere sia tracce organiche che normali contaminanti.

 

In seguito il wafer viene sottoposto ad un trattamento termico ad una temperatura superiore ai precedenti trattamenti tra 120 e 180 °C, per qualche decina di minuti. Questo trattamento rende molto più resistente il resist per i processi successivi, ma non è necessario in alcuni processi.

 

== Risoluzione ==