Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
m fix |
|||
Riga 16:
==Deposizione di biossido di silicio==
Gli ''ossidi di silicio'' depositati nell'area di Diffusione sono ossidi non drogati e sono generalmente depositati a partire da una sorgente liquida
*Le deposizioni con TEOS hanno uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film.
Riga 36:
Si ha dunque un ricoprimento del gradino completamente conforme; lo spessore del film lungo le pareti e` uguale a quello al fondo del gradino. Si ha un ricoprimento conforme del gradino quando i reagenti, o i composti intermedi della reazione, vengono assorbiti alla superficie e quindi migrano rapidamente lungo la superficie stessa prima di reagire.
;Ricopertura non conforme (da
:reagenti adsorbiti con bassa migrazione superficiale, tasso di deposizione proporzionale all'angolo di arrivo delle molecole.
Riga 69:
Il polisilicio viene utilizzato principalmente come elettrodo di gate nei dispositivi MOS. Infatti il polisilicio risulta essere più affidabile di qualsiasi altro metallo perchè il legame del polisicio con l' ossido di silicio è più stabile con la temperatura. Dunque sul gateox si deposita uno strato di polisilicio piuttosto che un metallo quale ad esempio alluminio o tungsteno.
===Struttura del polisilicio===
Line 84 ⟶ 83:
==Fornaci per deposizione di film a bassa pressione==
:C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. Si ha un' alta capacità ma il processo è lento. ▼
▲C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. Si ha un' alta capacità ma il processo è lento.
[[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|850px]]
:In questo caso si ha una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400°C. Si ha una bassa temperatura di processo ma la capacità è scarsa.▼
▲In questo caso si ha una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400°C. Si ha una bassa temperatura di processo ma la capacità è scarsa.
==Polisilicio e
Per ridurne la resistività, il polisicio può essere drogato durante la deposizione. Nel forno quindi, oltre a mettere il Silano, si mettono atomi di drogante come Fosfina, Arsina, Diborano. Il polisilicio puo` essere utilizzato per contattare le zone n+ nei transistor ad esempio e quindi il contatto ideale sarebbe quello a piu` bassa resistenza.
| |||