Elettronica fisica/Mosfet: differenze tra le versioni

ed il source del mosfet sono simmetrici e di principio intercambiabili. Nella

situazione riportata in fig. 5.4 il drain può essere sia positivo sia negativo

garantire la contropolarizzazione della giunzione drain-substrato. Per valori

5.3. CONDUCIBILIT`A DEL CANALE 81

densità superficiale di corrente è:

jx = μn Qn(x) Ex (5.4)

disegno in fig. 5.6, la corrente totale si può ottenere moltiplicando per la

larghezza W del canale:

Delle quattro famiglie di parametri riportate al par. 3.4 per la descrizione dei

dispositivi lineari a due porte, solo due sono utilizzabili nel caso del mosfet

molto senso scegliere i1 come variabile indipendente: in questa configurazione il mosfet è un dispositivo in cui il parametro di ingresso è essenzialmente

una tensione. Si utilizzeranno quindi i parametri g o m, a cui corrispondono