Elettronica fisica/Mosfet: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Gian BOT (discussione | contributi)
m Bot: aggiunge sommario alle pagine del libro
Gian BOT (discussione | contributi)
m Bot: Correggo errori comuni (tramite La lista degli errori comuni V 1.0)
Riga 88:
La regione lineare corrisponde alla condizione VGS −Vth > VDS, descritta dalla equazione 5.9; per valori di tensione VDS molto piccoli rispetto a VGS − Vth il termine VDS/2 in parentesi risulta trascurabile ed il comportamento si avvicina strettamente a quello ohmico riportato in fig. 5.5. Nel transistor bjt la regione analoga alla regione lineare del mosfet è la regione di saturazione.
 
Figura 5.8: Famiglia di curve caratteristiche per un transistor nmos (Kn = 0.25mA/V 2, Vth = 2.5V , = 0.01V −1).
 
La regione di saturazione per il mosfet, la cui analoga per il bjt è la regione attiva, è descritta dalla eq. 5.11 o dalla 5.12. Il confine tra le due regioni è rappresentato dalla parabola IDS = VDS 2 · Kn/2 (linea blu in figura).
Riga 121:
====5.10.1 Amplificatore common source====
Figura 5.13:
Due esempi di amplificatori common source realizzati con un transistor mosfet sono riportati in fig. 5.13. Il primo (fig. 5.13a) impiega un nmos di tipo enhancement ; il secondo (fig. 5.13b) di tipo depletion. I circuiti di polarizzazione sono diversi nei due casi. In a) si richiede una tensione di gate positiva rispetto al source e la si ottiene dalla alimentazione VDD tramite il
partitore R1,R2:
VGS = R2 R1 + R2 · VDD (5.13)