Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

===[[w:Processo_Czochralski|Processo Czochralski]]===

[[Image:Czochralski Process.svg|thumb|left|350px|Processo Czochralski]]

Nella tecnica Czochralsky (CZ) la fase liquida, contenuta in un crogiolo di [[w:grafite|grafite]] contenente un crogiolo di [[w:quarzo|quarzo]] riscaldato per induzione a RF ad una temperatura di qualche grado superiore alla temperatura di fusione del silicio, è costituita da silicio preventivamente raffinato e drogato con l'aggiunta di elementi donatori od accettori. Quindi le impurità sono aggiunte alla fusione in quantità controllata, ottenendo un cristallo con determinate proprietà.

Il processo comincia quanto la camera è portata ad una temperatura di circa <math>1420^o\ C</math> poco oltre la temperatura di fusione. Solo quando tutto il silicio è completamente fuso, un piccolo seme (della orientazione cristallografica voluta in genere <111> o <100>) montato alla fine di una asta ruotante è lentamente immerso fino a che viene appena bagnato dal silicio fuso.

In alcuni casi queste impurezze di ossigeno hanno un effetto benefico. Infatti con opportuni trattamenti termici permettono di produrre precipitati di ossigeno che intrappolano impurezze non volute di metalli di transizione. Inoltre le impurezze di Ossigeno bloccano le dislocazioni migliorando la resistenza meccanica. Sembra che l'ossigeno ha un effetto benefico sulla resistenza alla radiazione dei dispositivi. E' stato anche dimostrato che la presenza di ossigeno nel silicio aumenta la capacità di intrappolare le impurezze nei processi di trattamento termico che seguono l'impiantazione ionica<ref>A. Polman et al., J. Appl. Phys., Vol. 75, No. 6, 15 March 1994</ref>.

 

 

===Processo float zone===

Questo processo è utilizzato per fabbricare cristalli di materiali semiconduttori compositi,

come ad esempio l'Arseniuro di Gallio che non può essere fabbricato mediante il metodo Czochralski.

 

==Wafer==