Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Gian BOT (discussione | contributi)
m Bot: corregge errori ortografici comuni
Mrmw (discussione | contributi)
Riga 173:
Il biossido di silicio depositato chimicamente da fase vapore non può sostituire gli ossidi cresciuti termicamente, che hanno migliori proprietà elettriche; tuttavia si utilizza in ruoli complementari a quelli degli ossidi cresciuti termicamente.
 
[[Image:SiO2_-_Glas_-_2DSilica.pngsvg|right|thumb|200 px|Struttura S_iO_2]]
 
Uno strato di biossido di silicio non drogato è utilizzato per realizzare strati mascheranti per l’impiantazione ionica o per la diffusione, per isolare metallizzazioni a più livelli oppure come strato di passivazione finale.
Riga 192:
Vi è quindi una stretta relazione tra la temperatura di deposizione e la proprietà dei film di biossido di silicio deposti.
In generale, gli ossidi deposti alle temperature più elevate sono simili all’ossido di silicio accresciuto termicamente.
 
 
 
===TEOS===