Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni
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che la pressione gioca un ruolo significativo è dovuto al fatto che gli atomi che escono dal substrato escono con una elevata energia cinetica e la pressione attraverso il [[w:Cammino_libero_medio|cammino libero medio]] determina l'energia con cui arrivano sulla superficie dove cresce il film. L'altro parametro che determina le prorietà del film è la temperatura di deposizione.
Poiché la deposizione attraverso sputtering viene inquadrata nelle crescite assistite da plasma, oltre agli atomi neutri vi sono anche
i flussi ioni ed atomici con ''J<sub>i</sub>'' e ''J<sub>a</sub>'', si trova che il rapporto ''J<sub>i</sub>/J<sub>a</sub>'' gioca un ruolo decisivo sulla morfologia e sulla struttura microscopica del film<ref>H. Windischman,Intrinsic stress in sputter-deposited thin film, Rev. Sol. St. Mat. Sci., '''17''' 547 (1992)</ref>. La ragione dipende da parametri strutturali quali le orientazione preferenziale dei [[w:Cristalliti|cristalliti]] e dallo stato dello stress residuo.
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