La tecnologia [[w:CMOS|CMOS]] sta per '''C'''omplementary '''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor. La parte del nome ''Metal Oxide Semiconductor'' fa riferimento al metodo di costruzione del componente con tecnologia FET (Field Effect Transistor - transistore ad effetto campo), e ''Complementary'' significa che il CMOS usa entrambi i transistori cioè sia il tipo "n-MOSNMOS" che il tipo "p-MOSPMOS". I progetti più datati fanno ricorso solamente a transistori del tipo "nN", e ci si riferisce a loro come [[w:LogicheLogica n-MOSNMOS|LogicheLogica n-MOSNMOS]].
I transistori ad effetto campo del tipo n-MOSNMOS sono attivi (conducono) quando la loro tensione in entrata è alta, mentre quelli del tipo p-MOSPMOS sono attivi quando la loro tensione è bassa.
Tutte le porte del tipo CMOS sono strutturate in due parti: la rete "pull-up" (PUN), strutturata con transistori del tipo "pP" e connessa alla sorgente; e la rete "pull down" (PDN), costruita con transistori del tipo "nN" e connessa a terra (pure chiamata scarico). Le due parti sono duali logicamente l'una dell'altra, cosicché se la PUN è attiva, allora la PDN è inattiva, e viceversa. In questo modo non ci può essere mai un collegamento diretto tra la sorgente e la terra (in qualsiasi condizione stazionaria).
Il maggiore vantaggio del CMOS sul n-MOSNMOS è quello che il CMOS ha una variazione rapida sia da "alto-a-basso" sia da "basso-a-alto". Il tipo n-MOSNMOS invece transita da "basso-a-alto" solo lentamente, (poiché usa un resistore al posto di un PUN), e giacché la velocità totale del circuito deve tenere conto del caso peggiore, i circuiti n-MOSNMOS risultano molto più lenti.
