Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

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che la pressione gioca un ruolo significativo è dovuto al fatto che gli atomi che escono dal substrato escono con una elevata energia cinetica e la pressione attraverso il [[w:Cammino_libero_medio|cammino libero medio]] determina l'energia con cui arrivano sulla superficie dove cresce il film. L'altro parametro che determina le prorietà del film è la temperatura di deposizione.
 
PoichèPoiché la deposizione attraverso sputtering viene inquadrata nelle crescite assistite da plasma, oltre agli atomi neutri vi sono anche speci cariche (come gli ioni Argon) che urtano la superficie dove viene cresciuto il film, e questa componente può esercitare effetti notevoli. Se definiamo
i flussi ioni ed atomici con ''J<sub>i</sub>'' e ''J<sub>a</sub>'', si trova che il rapporto ''J<sub>i</sub>/J<sub>a</sub>'' gioca un ruolo decisivo sulla morfologia e sulla struttura microscopica del film<ref>H. Windischman,Intrinsic stress in sputter-deposited thin film, Rev. Sol. St. Mat. Sci., '''17''' 547 (1992)</ref>. La ragione dipende da parametri strutturali quali le orientazione preferenziale dei [[w:Cristalliti|cristalliti]] e dallo stato dello stress residuo.