Sistemi e tecnologie elettroniche/Uso in commutazione dei transistori: differenze tra le versioni

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===Interruttore high-side a transistore ''p''MOS===
Quando l'interruttore di controllo<ref>L<nowiki>'</nowiki>'''interruttore di controllo''', in questo caso low-side, serve per caricare e scaricare la capacità equivalente del transistore, ma è facile da realizzare perchèperché è a bassa potenza e deve gestire correnti basse. Il transitorio immediatamente successivo alla commutazione dell'interruttore si considererà sempre esaurito.</ref> è chiuso, vale <math>V_{GS}=-V_{AL}</math> (affinché il transistore ''p''MOS sia in conduzione, deve valere <math>V_{GS} < V_{th}</math>), ma c'è poca dissipazione di potenza perché la tensione di source però non è più vincolata ad essere uguale a quella del carico <math>Z_L</math>. Tuttavia, le prestazioni di un ''p''MOS sono peggiori di quelle di un ''n''MOS sia in termini di velocità di commutazione, sia perché ha un'elevata resistenza <math>R_{\text{on}}</math>.
 
==Isolamento galvanico ottico==