Differenze tra le versioni di "Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica"

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Vi è da aggiungere che per la fabbricazione di maschere i resist usati sono negativi è hanno sensibilità così basse come 10<sup>-6</sup> C/cm<sup>2</sup>.
 
Attualmente tale tecnologia non pare sia utilizzabile per la produzione su larga scala di aree con elevata densità di area esposta. Il procedimento di scrittura essendo seriale rende la generazione delle strutture estremanenteestremamente lenta; la litografia ottica è invece una tecnica parallela, anche se gli stepper riducenti sono parzialmente seriali e ogni area sequenziale esposta è di molti mm<sup>2</sup>. Quindi uno stepper con riduzione 5X impiega pochi minuti per esporre un wafer di 300 mm, mentre per ottenere la stessa esposizione con la litografia elettronica con una risoluzionde di 100 nm, sono necessari giorni di esposizione.
 
Sono stati previsti sistemi innovativi a fasci multipli che permetterebbero di raggiungere velocità di scrittura molto più elevate.
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