Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni
Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Corretto: "superficie" |
|||
Riga 20:
Film sputterati hanno tipicamente una adesione molto migliore al substrato di film evaporati.
Inoltre un target contiene una grande quantità di materiale e quindi molto raramente occorre rinnovare il materiale del target e questo permette di utilizzare la tecnica anche in [[w:vuoto|vuoto]] molto spinto (UHV). Le sorgenti per lo sputtering non contengono parti calde (per evitare surriscaldamento i catodi sono tipicamente raffreddate ad acqua) e sono compatibili con gas reattivi quali l'[[w:Ossigeno|
Non esistono problemi di schizzi di materiale come avviene nell’evaporazione.
Il processo di sputtering è compatibile con processi speciali quali la [[w:Crescita_epitassiale|crescita epitassiale]].
Riga 28:
completamente dove gli atomi vanno, si possono avere problemi di contaminazione.
E' difficile controllare una crescita strato per strato. Inoltre nella matrice del film sputterato gli atomi dei gas inerti usati per il plasma sono inglobati nella struttura e costituiscono delle imperfezioni. La velocità di deposizione è in genere limitata a meno di 200 nm/min.
==Il fenomeno fisico dello Sputtering==
Lo sputtering è un fenomeno fisico nel quale ioni, solitamente Ar<sup>+</sup>, vengono accelerati per mezzo di un gradiente di potenziale in modo da bombardare un “bersaglio” (Target), o [[w:catodo|catodo]]. Poiché gli ioni cedono la loro quantità di moto agli atomi posti sulla superficie del bersaglio, questi ultimi diventano volatili e sono trasportati sotto forma di vapore sul substrato dove vengono deposti sotto forma di film metallico.
| |||