Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni
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==Wafer==
Il lingotto viene tornito per raggiungere il diametro voluto, in seguito rettificato, inoltre viene fabbricata lateralmente
Il lingotto viene poi tagliato in sottili dischi ([[w:Wafer_(elettronica)|wafer]]) con una sega con dischi diamantati. Ogni wafer ottenuto viene [[w:lappatura|''lappato'']] (tecnica di riduzione della rugosità) su una o due facce con paste abrasive in genere polvere di allumina (<math>Al_2O_3\ </math>) immersa in glicerina. Questo trattamento riduce la rugosità su larga scala a circa <math>2 \mu m</math>. In seguito subisce un trattamento chimico successivo per rimuovere i danni e poi [[w:lucidatura|lucidata]] con particelle sferiche di <math>SiO_2\ </math> immerse NaOH. Il wafer finale ha una rugosità su piccola scala (dimensione dei dispositivi) di pochi passi atomici.
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