Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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=== Pulizia ===
Nel caso in cui dei contaminanti siano presenti sulla superficie del wafer, essi vengono preventivamente rimossi mediante un trattamento chimico in fase liquida. L'immersione in una soluzione al 50% di [[w:Perossido_di_idrogeno|acqua ossigenata]] (ad alta concentrazione) e [[w:Acido_solforico|acido solforico]] è in genere la procedura più usata per rimuovere sia tracce organiche che normali contaminanti.
Questo tipo di pulizia è applicabile in genere solo come primo step su wafer di silicio, in quanto la soluzione è fortemente corrosiva e danneggerebbe facilmente la maggior parte delle strutture dei materiali utilizzati nei processi successivi.
{{cn|Il passo successivo è un risciacquo in acqua deionizzata, cioè con una presenza trascurabile di ioni e quindi con elevata resistività. L'acqua deionizzata viene utilizzata in molte fasi dei processi di microtecnologia; in genere per evitare contaminazioni viene prodotta in loco con un apparecchio di deionizzazione quasi sempre presente nelle camere pulite usate per microtecnologie}}.
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