Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica: differenze tra le versioni
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===Tempo di scrittura===
Il tempo minimo per esporre una data area dipende dalla sensibilità del resist. La sensibilità del resist elettronico ha le dimensioni di una carica per unità di superficie. Un resist positivo molto comune il [[w:Polimetilmetacrilato|PMMA]] ha sensibilità di circa 10<sup>-3</sup> C/cm<sup>2</sup>. Questo significa che se ho una superficie di 1 cm<sup>2</sup> da esporre sarà necessaria una carica totale 10<sup>-3</sup> C per esporre tale area; se la corrente usata è di 10 nA, occorreranno 10<sup>5</sup> s per esporre tale area. Tale tempo non include il tempo necessario per muovere la superficie da esporre, interrompere il fascio tra posizioni non contigue e per le calibrazioni intermedie interrompendo l'esposizione. Per ricoprire l'area di un wafer da 12" sarebbe necessario un tempo di 7*10<sup>7</sup> s, circa 2.2 anni!. Tale tempo è un milione di volte maggiore del tempo di esposizione mediante litografia ottica.
Il conto è stato esagerato volutamente, in quanto difficilmente è necessario su tutta l'area una risoluzione spinta come quella permessa usando una piccola corrente. Usando correnti più elevate nelle zone meno importanti si può ridurre sensibilmente il tempo di scrittura.
Vi è da aggiungere che per la fabbricazione di maschere i resist usati sono negativi è hanno sensibilità così basse come 10<sup>-6</sup> C/cm<sup>2</sup>.▼
▲Vi è da aggiungere che per la fabbricazione di maschere i resist usati sono negativi è hanno
Attualmente tale tecnologia non pare sia utilizzabile per la produzione su larga scala di aree con elevata densità di area esposta. Il procedimento di scrittura essendo seriale rende la generazione delle strutture estremanente lenta; la litografia ottica è invece una tecnica parallela, anche se gli stepper riducenti sono parzialmente seriali e ogni area sequenziale esposta è di molti mm<sup>2</sup>. Quindi uno stepper con riduzione 5X impiega pochi minuti per esporre un wafer di 300 mm, mentre per ottenere la stessa esposizione con la litografia elettronica con una risoluzionde di 100 nm, sono necessari giorni di esposizione.
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