Differenze tra le versioni di "Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Diffusione"

Corretto: "superficie"
(ortografia)
(Corretto: "superficie")
La lunghezza <math>\lambda=\sqrt {4Dt}\ </math> viene detta lunghezza di diffusione, e fornisce la scala spaziale di estensione del drogante, non solo in questa tecnica specifica.
 
In particolare sulla superficesuperficie (x=0) la concentrazione diminuisce con il tempo con la legge:
 
:<math>n_s(t) = \frac {n_o}{\sqrt {\pi Dt}} \ </math>
 
=== Diffusione a concentrazione superficiale costante===
[[File:Diffusione.png|thumb|left|500px|Concentrazione normalizzata alla superficesuperficie con due diverse condizioni al contorno]]
In questo caso non vi sono due fasi separate. Durante il processo di diffusione viene continuamente immesso nuovo drogante sulla superficie in fase gassosa. Il materiale contenente il drogante proviene da un liquido, ad esempio il fosforo è contenuto [[w:POCl3|ossicloruro di Fosforo]] (POCl<sub>3</sub>). I drogante sotto forma di composto viene trasportato da un gas che viene soffiato dentro al liquido. Il gas carico del vapore viene diluito in maniera opportuna. La concentrazione di drogante alla superficie del semiconduttore rimane costante nel tempo durante la diffusione:
n(0,t)=n<sub>s</sub> e inoltre n(<big>∞</big>,t)=0. La soluzione dell'equazione della
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