Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica: differenze tra le versioni

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I sistemi commerciali di litografia elettronica possono essere classificati in base alla strategia di scrittura. I sistemi utilizzati per ricerca e sviluppo, che debbono esporre piccole parti della superficesuperficie utilizzano una tecnica vettoriale di esposizione: il fascio, in genere di piccole dimensione con profilo gaussiano, viene diretto nelle sole aree da esporre, bloccando il fascio tra una esposizione e l'altra.
[[Immagine:Variable_shaped_beam.JPG|thumb|520px|left|Schema di un sistema a fascio di dimensioni variabili]]
Invece i sistemi utilizzati per la produzione di maschere, che richiedono l'esposizione di gran parte dell'area, usano la scansione (raster) linea per linea con fasci di forma controllata, la scanzione è simile a quella di un tubo catodico di un televisore. Quindi i sistemi commerciali si classificano in vettoriali o raster (in genere quest'ultimi sono più sofisticati e quindi più costosi).
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Attualmente tale tecnologia non pare sia utilizzabile per la produzione su larga scala di aree con elevata densità di area esposta. Il procedimento di scrittura essendo seriale rende la generazione delle strutture estremanente lenta; la litografia ottica è invece una tecnica parallela, anche se gli stepper riducenti sono parzialmente seriali e ogni area sequenziale esposta è di molti mm<sup>2</sup>. Quindi uno stepper con riduzione 5X impiega pochi minuti per esporre un wafer di 300 mm, mentre per ottenere la stessa esposizione con la litografia elettronica con una risoluzionde di 100 nm, sono necessari giorni di esposizione.
 
Sono stati previsti sistemi innovativi a fasci multipli che peremtterebberopermetterebbero di raggiungere velocità di scrittura molto più elevate.
 
===Difetti nella litografia elettronica ===
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I difetti di scrittura possono essere dovuti alla non corretta deflessione del fascio e nel caso di fasci con forma variabile la forma può risultare deformata in maniera non propria: tali difetti dipendono sia dall'elettronica di controllo degli elettroni, come dalla trasmissione dei dati digitali. Spesso i file che contengono le informazioni di scrittura sono molto grandi e quindi suscettibili statisticamente di errori.
 
Altri difetti possibili hanno una origine da effetti fisici. Il caso più facile da comprendere è un difetto causato localmente dall'accumulo di cariche, gli elettroni a differenza dei fotoni hanno una carica elettrica, per evitare questo tipo di difetto un leggero strato metallico che ricopre tutta la superficesuperficie da esporre evita problemi. Lo spessore dello strato metallico deve essere abbastanza sottile da non assorbire in maniera significativa il fascio di elettroni, e d'altro canto essere facilmente rimuobilerimovibile dopo l'esposizione. La tecnica di ricoprire campioni isolanti con un leggero strato metallico è in realtà mutuata dalle tecniche dei microscopi elettronici a scansione. Il fenomeno dello [[w:Scattering|scattering]] degli elettroni che dipende dall'energia degli elettroni e dal materiale è un'altra causa di difetti, il fenomeno comune a tutte le particelle energetiche è causa dalla causalità dell'urto. A causa di tale fenomeno un elettrone viene deviato nel suo cammino perdendo via via energia e causando un allargamento effettivo dell'area esposta. Quando bisogna disegnare dispositivi nanometrici di tale effetto indesiderato che viene chiamato effetto di prossimità: in quanto aree prossime al fascio anche se non attraversate ricevono una dose di elettroni, mediante simulazione numerica è possibile correggere tale difetti. Gli effetti di degassamento e di contaminazione dovuti al fascio sono in genere meno importanti. Mentre se la durata dell'esposizione è eccessiva le dilatazioni termiche dovute alla non stabilità della temperatura possono causare difetti.