Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

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== Tipi di sistemi di sputtering==
=== dc Sputtering===
Il porta target funziona come catodo e il porta substrato come anodo. Quando si applica una elevata tensione in corrente continua ( ad esempoesempio 1000 V) al catodo, una scarica a bagliore (plasma) si innesca all’interno della camera mantenuta ad una pressione appropriata. Il plasma è normalmente costituito di ioni Ar<sup>+</sup>. Questa tecnica permette di evaporare solo film conduttori.
 
Una variante del processo consiste nell'utilizzo di un terzo elettrodo: un anodo, un target come in precedenza e di una ulteriore sorgente di elettroni. La camera viene mantenuta alla necessaria bassa pressione e gli elettroni vengono prodotti da una sorgente termoionica a filamento separata.