Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni
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Dal grafico notiamo una differenza tra dry e steam; quest’ultima a parità di temperatura ha valori <math>\frac BA \ </math> molto più grandi, quindi è molto più veloce!
Il coefficiente di crescita lineare, inoltre, è legato alla velocità con cui gli atomi di <math> Si\ </math> vengono incorporati nella struttura dell’ossido. Questa velocità dipende dalla densità superficiale di atomi di <math> Si\ </math> ed è funzione perciò
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Durante il processo di densificazione la struttura si mantiene amorfa, tuttavia la struttura tetraedrica diventa piu` regolare. Il processo di densificazione fa acquistare all’ossido deposto molte delle proprieta` dell’ossido termico.
Vi è quindi una
In generale, gli ossidi deposti alle temperature
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L’ ossido di silicio può essere quindi depositato in un reattore a bassa pressione (LPCVD), decomponendo <math> S_i(OC_2H_5)_4 \ </math> a temperature da 650 a 750°C. Questo composto, chiamato tetraetilortosilicato ed abbreviato in <math> TEOS \ </math>, viene vaporizzato da una sorgente liquida.
La decomposizione del <math> TEOS \ </math> e` utile per deporre isolante sopra il polisilicio, ma l’alta temperatura richiesta impedisce il suo uso sull’alluminio. I vantaggi della deposizione con TEOS sono
[[Image:Ricopertura film.jpg|right|thumb|150 px|Ricopertura film]]
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Nella figura a fianco (a) viene mostrato un ricoprimento del gradino completamente conforme; lo spessore del film lungo le pareti e` uguale a quello al fondo del gradino. Si ha un ricoprimento conforme del gradino quando i reagenti, o i composti intermedi della reazione, vengono assorbiti sulla superficie e quindi migrano rapidamente lungo la superficie stessa prima di reagire. Questa rapida migrazione ha per risultato una concentrazione superficiale uniforme, senza tener conto della topografia e da di conseguenza uno spessore perfettamente uniforme.
Quando i reagenti sono assorbiti e reagiscono senza una migrazione superficiale significativa, la
Il biossido di silicio formato da decomposizione del <math>TEOS \ </math> a bassa pressione da una ricopertura quasi conforme a causa della rapida migrazione superficiale. Al contrario, durante la deposizione con reazione silano-ossigeno non si ha migrazione superficiale e la ricopertura è determinata dall’angolo di arrivo.
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permette di ottenere deposizioni con alta velocità di crescita e film con buona stabilità.
Il reattore PECVD è del tipo a
Il vantaggio principale di questo metodo consiste nella sua bassa temperatura di deposizione:
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La pressione e` inferiore a quella atmosferica ed e` esattamente uguale a 200Torr, mentre la temperatura di deposizione e` fissata a 530° C.
L’Ozono (<math>O_3 \ </math>) viene utilizzato come principale “fornitore” di Ossigeno, in quanto e` instabile e facilmente dissociabile anche a temperature non molto elevate e pertanto la giusta
La presenza dei droganti nei vari films di <math>BPSG</math> e` tale da garantire e migliorare alcune caratteristiche dell’ossido: per esempio, il processo di Dry Etch che serve a scavare il <math>BPSG</math> per l’apertura dei contatti su Source/Drain e` piu` efficace in presenza di una maggiore
Tuttavia bisogna stare attenti a non esagerare con il Boro in quanto questo, a concentrazioni vicine al 5% comincia a cristallizzare piuttosto che a distribuirsi uniformemente. Quindi si aggiunge del Fosforo ma anche in questo caso non possiamo superare valori vicini all’ 8% in quanto si rischierebbe di formare Acido Fosforico che risulterebbe corrosivo per alcune strutture.
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