Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia a raggi X: differenze tra le versioni

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'''Descrizione del processo'''
 
La litografia a raggi X usa un metodo di incisione simile alla litografia a prossimità. Immaginando di avere dei raggi X di lunghezza d'onda di frazioni di nm e che la stampa avvenga attraverso una maschera (eguale al disegno da stampare 1X) molto vicina (tipicamnetetipicamente 10-40<math>\mu\ </math> ) al wafer. Poiché l'assorbimento dei raggi X dipende essenzialmente dal [[w:Numero_atomico|numero atomico]] del materiale, il supporto del materiale deve essere fatto da una sottile membrana di basso numero atomico (il più comune materiale usato è il nitruro di silicio). Mentre il disegno viene realizzato con materiali con alto numero atomico: oro, tantalio, tungsteno o loro leghe.
 
Fabbricare maschere per la litografia a raggi X è molto più complicato che fabbricare quelle per la litografia ottica. Inoltre i raggi X sono assorbiti dai gas e in genere nel cammino a pressione atmosferica dei raggi X usati, va usato Elio, che presenta il minimo assorbimento ai raggi X. Una finestra di Berillio (il metallo rigido con il più basso numero atomico) separa la regione di vuoto in cui sono prodotti i raggi X dal cammino in Elio.