Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

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La tecnica Czochralski (CZ) è la più usata. Il processo prende il nome da uno scienziato polaccco (Jan Czochralski) che ha scoperto il metodo mentre studiava la velocità di cristallizazione dei metalli.
Nella tecnica Czochralsky (CZ) la fase liquida, contenuta in un crogiolo di [[w:grafite|grafite]] contenente un crogiolo di [[w:quarzo|quarzo]] riscaldato per induzione a RF ad una temperatura di qualche grado superiore alla temperatura di fusione del silicio, è costituita da silicio preventivamente raffinato e drogato con l'aggiunta di elementi donatori od accettori. Quindi le impurità sono aggiunte alla fusione in quantità controllata, ottenendo un cristallo con determinate proprietà.
Il processo comincia quanto la camera è portata ad una temperatura di circa <math>1420^o\ C</math> poco oltre la temperatura di fusione. Solo quando tutto il silicio è completamente fuso, un piccolo seme (della oientazioneorientazione cristallografica voluta in genere <111> o <100>) montato alla fine di una asta ruotante è lentamente immerso fino a che viene appena bagnato dal silicio fuso.
La asta ruota in senso antiorario, mentre il crogiolo ruota in senso orario. La rotazione contemporanea favorisce la crescita laterale. Quando si è raggiunta la dimensione voluta, il cristallo viene tirato verso l'alto con velocità dell'ordine di qualche µm/sec, dando così inizio all'accrescimento della barra monocristallina.