Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

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Il lingotto viene poi tagliato in sottili dischi ([[w:Wafer_(elettronica)|wafer]]) con una sega con dischi diamantati. Ogni wafer ottenuto viene [[w:lappatura|''lappato'']] (tecnica di riduzione della rugosità) su una o due faccie con paste abrasive in genere polvere di allumina (<math>Al_2O_3\ </math>) immersa in glicerina. Questo trattamento riduce la rugosità su larga scala a circa <math>2 \mu m</math>. In seguito subisce un trattatamento chimico successivo per rimuovere i danni e poi [[w:lucidatura|lucidata]] con particelle sferiche di <math>SiO_2\ </math> immerse NaOH. Il wafer finale ha una rugosità su piccola scala (dimensione dei dispositivi) di pochi passi atomici.
 
I wafer più sono grandi più permettono la riduzione del costo dei chip finali, per questa ragione nel tempo le dimensioni dei wafer sono aumentate via via. AttualmeneAttualmente le massime fette di silicio hanno un diametro di 300mm. Attualmente (2012) <ref>http://www.physorg.com/news129301282.html</ref> i wafer commerciali di maggiore diametro sono di 45 cm . I wafer di silicio hanno uno spessore compreso tra 0.2 e 0.75 mm.
 
Nella figura si vede un lingotto che poi verrà successivamente tagliato e lucidato.
 
== Note ==
{{references|2}}