Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

Contenuto cancellato Contenuto aggiunto
Etichette: Modifica da mobile Modifica da web per mobile
Etichette: Modifica da mobile Modifica da web per mobile
Riga 31:
 
==Crescita del monocristallo==
Essenzialmente retre metodi vengono usati per la crescita dei momocristalli:
processo Czochralski , float-zone e tecnica di Bridgman.
===[[w:Processo_Czochralski|Processo Czochralski]]===
Riga 61:
come ad esempio l'Arseniuro di Gallio che non può essere fabbricato mediante il metodo Czochralski.
Infati mediante il metodo Czochralski via che il cristallo venisse tirato su dal fuso cambierebbe la sua composizione chimica. Nel metodo il contenitore in questo caso è sigillato, vi è un seme dell'orientamento voluto, viene fuso tutto il materiale sopra la sua temperatura di fusione, con un piccolo gradiente di temperatura, in maniera che il seme ad un estremo del contenitore non venga fuso. Il lento raffreddamento del contenitore produce la crescita del cristallo a partire dal seme.
 
 
==Wafer==