Sistemi e tecnologie elettroniche/Il transistore MOSFET: differenze tra le versioni
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* <math>g_o</math> è la conduttanza di uscita:
*:<math>g_o = {\left. \frac{\partial i_D}{\partial v_{DS}} \right|}_{\left( {V_{GS}}_0 , {V_{DS}}_0 , {V_{BS}}_0 \right)} = \lambda {I_D}_0</math>
*
*:<math>g_{mB} = {\left. \frac{\partial i_D}{\partial v_{BS}} \right|}_{\left( {V_{GS}}_0 , {V_{DS}}_0 , {V_{BS}}_0 \right)} = \frac{\lambda_B g_m}{2 \sqrt{2 \varphi_p - {V_{BS}}_0}}</math>
====Modello dinamico di piccolo segnale====
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