Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Film metallici: differenze tra le versioni
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m aggiustato un poco, ci sarebbe molto da fare ancora |
m piccole correzioni |
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{{Micro e nanotecnologia}}
[[File:Film_PVD.png|thumb|
#[[w:Tungsteno|Tungsteno]] (W) : diminuisce la resistività delle linee di gate (word line)
# Nitruro di Tungteno (WN): evita che il W deposto contamini i dielettrici sottostanti.
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presenti in una struttura MOS.
Sono in genere cresciuti in genere con tecniche di deposizione fisica da fase vapore (PVD)
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