Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Dry Etching: differenze tra le versioni

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→‎Tecnologie a differenti densità di plasma: aggiunta del significato di "aspect ratio"
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==Tecnologie a differenti densità di plasma==
 
A causa dei problemi legati alla miniaturizzazione che richiedono spesso profili con elevata ''aspect ratio'' (cioè il rapporto fra la dimensione più lunga e quella più corta di due dimensioni caratteristiche della figura in considerazione), si è reso necessario sviluppare plasmi con densità degli ioni molto elevate, tali cioè che gli ioni del plasma costituiscano una frazione significativa o addirittura la quasi totalità delle particelle presenti nella scarica.
 
La ragione di tale necessità è che le particelle cariche sono più facilmente indirizzabili nelle direzioni volute e quindi si ha un migliore controllo del profilo o di deposizione o di attacco(a seconda del processo).
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Tutte queste sfruttano reattori ad alta densità di plasma(HDP) e basse pressioni. Inoltre esse consentono di controllare la potenza dell'elettrodo sul quale poggia il wafer indipendentemente dalla sorgente, ottenendo il disaccoppiamento dell'energia degli ioni (tensione applicata al wafer) dal flusso di ioni(densità di plasma controllata dal generatore sorgente).
I vantaggi della tecnica HDP sono un maggiore controllo sulle dimensioni critiche (CD), un più elevato etch rate ed una migliore selettività dell'etch.
 
 
==Diversi tipi di etch==