Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni

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[[File:Step Fotolitografia.jpg|thumb|510px|left|Passi del processo di fotolitografia]]
 
Se il controllo da esito positivo la fetta (''wafer'') può continuare i processi successivi che potrebbe essere quello di impiantazione ionica, attacco, diffusione eccetera; a volte se il processo litografico viene giudicato non adeguato il processo litografico, dopo l'eliminazione del resist, il processo quest'ultimo può essere ricominciato dall'inizio.
 
=== Pulizia ===
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Il fotoresist è una particolare sostanza chimica usata nei processi di fotoincisione. Questa sostanza è sensibile alle radiazioni luminose (in particolar modo ai raggi UV) e altera le sue proprietà chimiche se sottoposto a tali radiazioni. Per l'applicazione sui wafer, il fotoresist viene versato in poche gocce sulla superficie del wafer stesso che successivamente viene fatto ruotare con una elevata velocità angolare attorno al suo centro, affinché tutto il fotoresist copra tutta la superficie in maniera omogenea. La tecnica viene chiamata
[[w:Spin_coating|spin coating]], di cui non esiste una efficace traduzione in italiano. Le velocità angolari tipiche vanno da 1000 giri al minuto fino a 6000 giri al minuto. La durata caratteristica di tale rotazione è dell'ordine del minuto. La diluizione del resist, come la velocità angolare, influenzano lo spessore del resist; tale spessore può andare da frazioni di [[w:Micron|micron]] a qualche micron. Aumentare la velocità di rotazione diminisce lo spessore del resist. L'espressione semiempirica per lo spessore <math>T\ </math> del resist è:
 
<math>T=\frac {KC^{\beta}\eta^{\gamma}}{\omega^{\alpha}}\ </math>
 
dove <math>K\ </math> è una costante da determinare empiricamente come anche <math>\alpha\ </math>, <math>\beta\ </math> e <math>\gamma\ </math>, mentre <math>C\ </math> è la concentrazione del polimero nella soluzione, <math>\mu\ </math> la [[w:Viscosità|viscosità]]
del polimero alla massima concentrazione e <math>\omega\ </math> la velocità angolare.
 
Nel processo di ricopertura mediante spinning, naturalmente uno spessore maggiore di resist si forma sul bordo esterno del wafer. Tale spessore viene quindi rimosso dalla geometria della centrifuga o in una fase successiva.
 
La rimozione del solvente in eccesso viene fatta mantenendo il wafer sopra una piastra riscaldata (pre-bake) a temperatura di circa <math>100\ ^oC</math>, per un tempo di circa 5 minuti. In alcuni casi si preferisce effettuare il processo in un forno in atmosfera di azoto; in questo caso il processo di essiccatura ha una durata maggiore (circa 30 minuti).
 
=== Esposizione e sviluppo ===