Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

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Il lingotto viene tornito per raggiungere il diametro voluto e creato un parte piatta che definisce l'orientamento cristallografico, tale processo meccanico viene eseguito
mediante macchine con utensili diamantati.
Il lingotto viene poi tagliato in sottili dischi ([[w:Wafer_(elettronica)|wafer]]) con una sega con dischi diamantati. Ogni wafer ottenuto viene lucidato[[w:lappatura|''lappato'']] (tecnica di riduzione della rugosità) su una o due faccie con paste abrasive in genere polvere di allumina (<math>Al_2O_3\ </math>) immersa in glicerina. Questo trattamento riduce la rugosità a circa <math>2 \mu m</math>. In seguito subisce un trattatamento chimico succesivosuccessivo per rimuovere i danni e poi di nuovo [[w:lucidatura|lucidata]] con particelle sferiche di <math>SiO_2\ </math> immerse NaOH.
 
I wafer più sono grandi più permettono la riduzione del costo dei chip finali, per questa ragione nel tempo le dimensioni dei wafer sono aumentate via via. Attualmene le massime fette di silicio hanno un diametro di 300mm. Per il 2012<ref>http://www.physorg.com/news129301282.html</ref> ci si aspetta che i wafer saranno da 45 cm. I wafer di silicio hanno uno spessore compreso tra 0.2 e 0.75 mm.