Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Wet etch: differenze tra le versioni

#:Infatti quando si scava un contatto nell' ossido, si potrebbe formare ossido nativo all' interno del contatto (ad esempio a contatto con l' aria). Tale contatto poggia sul substrato di silicio. Quando viene riempito il contatto, ad esempio con il polisilicio, questo andraandrà a depositarsi anche sullo strato di ossido nativo che in realtà non permette il contatto con il substrato. Con un processo di cleaning, prima di riempire il contatto, si rimuove l' ossido nativo e successivamente si procede con il riempimento.