Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni
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Una variante del processo è il DC Sputtering Magnetron. Utilizza una sorgente DC per attivare il [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma|plasma]] e per creare una corrente di ioni che bombardano il bersaglio. Esso rende più efficiente lo sputtering in quanto intrappola in un campo magnetico in prossimità del campione gli elettroni secondari emessi dal target e li utilizza per ionizzare il gas Argon generando una corrente di ioni in prossimità della superficie aumentando la resa del processo.
Quando una tensione negativa viene applicata al catodo gli elettroni emessi dal campione (oltre a quelli naturalmente presenti nella camera)vengono accelerati lontani dal target. Come la loro velocità aumenta, essi sono forzati a percorrere un percorso circolare dalla [[w:Forza_di_Lorentz|forza di Lorentz]] creata dal campo magnetico dovuto al magnete che è parallelo alla superficie del target.
Gli elettroni sono così intrappolati in questo percorso finché non perdono la loro energia, cioè finché non subiscono più la forza di Lorentz oppure
[[Image:11_Profilo_reale_target.png|left|thumb|300px|Profilo reale del target]]
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