Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni

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Il processo di deposizione può essere condotto o a pressione atmosferica in un reattore CVD o a pressione ridotta in un reattore LPCVD; la bassa temperatura di deposizione della relazione silano-ossigeno rende questo processo indicato per la deposizione di film su di uno strato di alluminio.
 
L’ossido di silicio deposto ha una struttura amorfa costituita da tetraedri`simile a quella del quarzo fuso. La densita`densità piu`più bassa si verifica nei film deposti al di sotto dei 500°C. Riscaldandolo a temperature tra 600 e 1000 °C, se ne provoca la densificazione e diminuisce lo spessore.
 
Durante il processo di densificazione la struttura si mantiene amorfa, tuttavia la struttura tetraedrica diventa piu` regolare. Il processo di densificazione fa acquistare all’ossido deposto molte delle proprieta` dell’ossido termico.