Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione: differenze tra le versioni

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* reazione chimica all'interfaccia;
All'equilibrio si crea una concentrazione di specie ossidante a contatto con la superficie dell'ossido pari a <math>C_0</math> <math>(molecole/cm^3)</math> che risulta proporzionale alla pressione parziale del gas ossidante sulla superficie dell'ossido (legge di Henry).
Indicando con <math>C_s</math> la concentrazione di ossidante che si ha sull'interfaccia <math>Si - SiO_2</math> dopo che questo ha diffuso nell''ossido, possiamo esprimere mediante la [[w:Legge_di_Fick|legge di Fick]] il flusso:
 
{{Equazione|eq=<math>F_1=D\frac{{\partial C}}{{\partial x}}\approx \frac{{D(C_o - C_s)}}{{x_{{ox}}}}</math>|id=1}}