Differenze tra le versioni di "Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica"

m (piccole correzioni)
 
===Tempo di scrittura===
Il tempo minimo per esporre una data area dipende dalla sensibilità del resist. La sensibilità del resist elettronico ha le dimensioni di una carica per unità di superficie. Un resist positivo molto comune il [[w:Polimetilmetacrilato|PMMA]] ha sensibilità di circa 10<sup>-3</sup> C/cm<sup>2</sup>. Questo significa che se ho una superficie di 1 cm<sup>2</sup> da esporre sarà necessaria una carica totale 10<sup>-3</sup> C per esporre tale area; se la corrente usata è di 10 nA, occorreranno 10<sup>5</sup> s per esporre tale area. Tale tempo non include il tempo necessario per muovere la superficie da esporre, interrompere il fascio tra posizioni non contigueecontigue e per le calibrazioni intermedie interrompendo l'esposizione. Per ricoprire l'area di un wafer da 12" sarebbe necessario un tempo di 7*10<sup>7</sup> s, circa 2.2 anni!. Tale tempo è un milione di volte maggiore del tempo di esposizione mediante litografia ottica.
Il conto è stato esageratovolutamenteesagerato volutamente, in quanto difficilmente è necessario su tutta l'area
una risoluzione spinta come quella permessa usando una piccola corrente. Usando correnti più elevate nelle zone meno importanti si può ridurre sensibilmente il tempo di scrittura.
Vi è da aggiungere che per la fabbricazione di maschere i resist usati sono negativi è hanno
Utente anonimo