Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli: differenze tra le versioni

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Il processo comincia quanto la camera è portata ad una temperatura di circa <math>1500^o\ C</math> per fondere il silico. Solo quando tutto il silicio è completamente fuso, un piccolo seme (della oientazione cristallografica voluta (in genere <111> oppure <100>) montato alla fine di una asta ruotante è lentamente immerso fino a che viene appena bagnato dal silicio fuso.
La asta ruota in senso antiorario, mentre il crogiolo ruota in senso orario. La rotazione contemporanea favorisce la crescita laterale. Quando si è raggiunta la dimensione voluta, il cristallo viene tirato verso l'alto con velocità dell'ordine di qualche µm/sec, dando così inizio all'accrescimento della barra monocristallina.
[[File:lingottoMonokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|left|thumb|300px100px|Un cristallo di silicio]].
L' interfaccia solido-liquido piano piano si raffredda e quindi il silicio cristallizza in modo veloce. Il prodotto finale, detto lingotto, ha la forma di un cilindro che finisce a punta. Questo processo viene normalmente eseguito in una atmosfera inerte, in genere Argon, ed in una camera di materiale non reattivo come la grafite. Attualmente le dimensioni standard dei lingotti vanno da 20 a 30 cm di diametro, con lunghezze fino a 2 metri. Un tipico lingotto pesa centinaia di chili.