Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Introduzione alla microtecnologia/L'ambiente: la camera pulita: differenze tra le versioni
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I dispositivi microfabbricati usano in grandissima parte come substrato il silicio di grado elettronico. Per ottenerlo, si porta della silice (un tipo di sabbia fatta di SiO2) al punto di fusione (1400 °C); un seme di cristallo di Si è sospeso nel bagno di silicio fuso e viene fatto ruotare sul suo asse, mentre contemporaneamente lo si estrae verso l’alto (metodo Czochralski-CZ). In questo modo si estrae un lingotto che viene poi tagliato a fette sottili(wafer), in seguito planarizzate e lucidate (polishing). Per perfezionare il procedimento, si puo' usare il metodo FZ (floating zone): una bobina a radiofrequenza viene fatta scorrere lungo l'asse del lingotto, producendo un riscaldamento locale che favorisce l'eliminazione delle imperfezioni.
[[Image:Silicon crystal.jpg|thumb|300px|Lingotti di silicio di varie dimensioni e i wafer che se ne ricavano]]
Oggi l'industria usa wafer di silicio con diametro fino a 12 pollici (300 mm) e spessore di 0.3-0.7 mm. Il bordo dei wafer può avere delle particolari intacche o delle sezioni diritte ("flat") che, secondo una precisa convenzione, permettono una facile identificazione dei piani reticolari.
Si usano anche:
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