Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Wet etch: differenze tra le versioni
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Nella prima fase una soluzione acquosa di acido nitrico ossida il silicio, formando ossido di silicio ed altri prodotti solubili. In un secondo momento l'ossido di silicio viene eliminato utilizzando dell'acido fluoridrico.
L'etch rate di questo processo varia al variare delle concentrazioni relative delle soluzioni di acido nitrico e acido fluoridrico. Per diversi valori di concentrazione percentuale dei due acidi, nella soluzione acquosa utilizzata si ottengono delle curve a etch rate costante.
In alcuni particolari tipi di etch del silicio, che utilizzano soluzioni di <math>\mathrm{KOH}\;</math> l'etch rate dipende dalle direzioni cristallografiche del silicio: si ha etch elevato lungo certi piani reticolari e scarso lungo altri. Infatti l' attacco ai piani <111> risulta puù lento dell' attacco ai piani <100> e <110> perché ci sono più atomi per centimetro quadro. Questo tipo di wet etch non è adatto nel campo dei dispositivi a semiconduttore infatti, la presenza di ioni potassio potrebbe determinare contaminazione; trova invece applicazione in micromeccanica in particolare nella
=== Etching dell'ossido di silicio ===
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