Elettronica fisica/Amplificazione: differenze tra le versioni

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tra le variabili di ingresso e di uscita di un dispositivo amplificatore sono più complicate e non lineari, come illustrato ad esempio dalle famiglie di
curve delle figure 4.7b e 5.8.
È possibile però, combinando opportunamente pi`upiù dispositivi, realizzare circuiti il cui comportamento si avvicina considerevolmente a quello ideale, come nel caso degli amplificatori operazionali.
 
Tra i dispositivi fisici che consentono di ottenere amplificazione i pi`upiù diffusi oggi sono di gran lunga i transistor: bjt (bipolar junction transistor),
jfet (junction field effect transistor), mosfet (''metal oxide semiconductor field effect transistor'').
 
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== Variabili dipendenti ed indipendenti ==
La possibilità di amplificare un segnale deriva dal fatto che, una volta che il dispositivo sia opportunamente polarizzato, le variabili elettriche della
porta di ingresso, tensione o corrente, sono in grado di controllare e variare tensioni e correnti pi`upiù intense nella porta di uscita.
Le relazioni matematiche tra le variabili di ingresso (I1, V1) e di uscita (I2, V2) sono determinate dai meccanismi fisici di funzionamento dei dispositivi amplificatori, esaminati nei capitoli seguenti. Alcune considerazioni però sono del tutto generali e prescindono dal particolare dispositivo utilizzato.
 
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Le varie combinazioni di variabili indipendenti e dipendenti forniscono descrizioni del dispositivo amplificatore completamente equivalenti dal punto
di vista matematico. Alcune combinazioni risulteranno nell’uso pi`upiù convenienti di altre in relazione alle caratteristiche dei dispositivi che si dovranno descrivere, come si vedrà nei capitoli seguenti.
 
== Modelli lineari per i dispositivi a due porte ==
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i casi, applicato alla porta 1 (l’ingresso) sulle variabili di uscita alla porta 2; il parametro con indice 12 indica invece il trasferimento inverso, cioè l’effetto di un segnale applicato al circuito di uscita sulle variabili di ingresso.
 
In base a questi significati i parametri sono identificati anche con gli indici i, f , r, o anzichè con gli indici numerici utilizzati fino ad ora. Ad esempio, nel caso dei parametri g ed h, che sono i pi`upiù utilizzati nella descrizione dei transistor, si ha:
#g11 ! gi conduttanza di ingresso (input)
#g12 ! gr conduttanza di trasferimento inverso (reverse)