Elettronica fisica/Mosfet: differenze tra le versioni
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del substrato, respinti dal campo elettrico, lasciano una zona scoperta di
cariche negative nel reticolo cristallino. Non essendoci portatori di carica in
questa zona, non vi
Portando il potenziale del gate verso valori ancora pi`u positivi, si verifica
il fenomeno della inversione della polarità del semiconduttore in prossimità
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tore sono due elettrodi con caratteristiche costruttive asimmetriche, il drain
ed il source del mosfet sono simmetrici e di principio intercambiabili. Nella
situazione riportata in fig. 5.4 il drain
rispetto al source, purchè sia rispettata la condizione VSB + VDS > 0 per
garantire la contropolarizzazione della giunzione drain-substrato. Per valori
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In pratica, non è strettamente necessario che le giunzioni source-substrato
e drain-substrato siano realmente contropolarizzate: è sufficiente che non
siano direttamente polarizzate. Si
generatore tra source e substrato con il cortocircuito rappresentato a trat-
teggio in fig. 5.4. In questo caso
drain: si dovrà avere necessariamente VDS 0 e di conseguenza IDS 0.
Dei due possibili quadranti operativi riportati in fig. 5.5 rimarrà accessibile
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jx = μn Qn(x) Ex (5.4)
Poichè il canale è omogeneo lungo la direzione y ortogonale al piano del
disegno in fig. 5.6, la corrente totale si
larghezza W del canale:
IDS = −μn Qn(x) W Ex (5.5)
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traslate a sinistra sull’asse delle tensioni VGS rispetto alle curve del tipo
enhancement. In un caso a VGS = 0 si ha corrente IDS nulla; nell’altro caso
si ha una corrente finita che
dalla tensione del gate.
Negli schemi elettrici i transistor di tipo depletion sono rappresentati con
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5.9 Varietà di transistor mosfet
Riassumendo, si possono avere transistor mosfet a canale n ed a canale p,
ciascuno dei quali
88 CAPITOLO 5. IL TRANSISTOR MOSFET
no di questi
al source.
In fig. 5.12 sono riportati i simboli con cui si rappresentano negli schemi
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resistenza RS per quanto riguarda i segnali, eliminando la reazione negativa
che verrebbe altrimenti introdotta.
Come già visto per il bjt, il funzionamento del circuito
diato riportando sul grafico delle curve caratteristiche la retta di carico di
equazione IDS = (VS − VDS)/RL ed esaminando lo spostamento del punto
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5.10.3 Il transistor mosfet in alta frequenza
Il gate di un transistor mosfet è a tutti gli effetti l’armatura di un conden-
satore la cui capacità
per piccoli segnali ed alta frequenza alle centinaia o migliaia di pF per i
dispositivi di potenza. Il circuito lineare di fig. 5.15 dovrà essere modifica-
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