Differenze tra le versioni di "Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia elettronica"

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===Tempo di scrittura===
Il tempo minimo per esporre una data area dipende dalla sensibilità del resist. La sensibilità del resist elettronico ha le dimensioni di una carica per unità di superficie. Un resist positivo molto comune il [[w:Polimetilmetacrilato|PMMA]] ha sensibilità di circa 10<sup>-3</sup> C/cm<sup>2</sup>. Questo significa che se ho una superficie di 1 cm<sup>2</sup> da esporre sarà necessaria una carica totale 10<sup>-3</sup> C per esporre tale area; se la corrente usata è di 10 nA, occorreranno 10<sup>5</sup> s per esporre tale area. Tale tempo non include il tempo necessario per muovere la superficie da esporre, interrompere il fascio tra posizioni non contiguee e per le calibrazioni intermedie interrompendo l'esposizione. Per ricoprire l'area di un wafer da 12" sarebbe necessario un tempo di 7*10<sup>7</sup> s, circa 2.2 anni!. Tale tempo è un milione di volte maggiore del tempo di esposizione mediante litografia ottica.
Il conto è stato esageratovolutamente, in quanto difficilmente è necessario su tutta l'area
tale area. Tale tempo non include il tempo necessario per muovere la superficie da esporre, interrompere il fascio tra posizioni non contiguee e per le calibrazioni intermedie interrompendo l'esposizione. Per ricoprire l'area di un wafer da 12" sarebbe necessario un tempo di 7*10<sup>7</sup> s, circa 2.2 anni!. Tale tempo è un milione di volte maggiore del tempo di esposizione mediante litografia ottica. Il PMMA è il resist più utilizzato in quanto è quello che
una risoluzione spinta come quella permessa usando una piccola corrente. Usando correnti più elevate nelle zone meno importanti si può ridurre sensibilmente il tempo di scrittura.
con ottima risoluzione, ma non è l'unico usato esistono altri resist positivi con sensibilità
Vi è da aggiungere che per la fabbricazione di maschere i resist usati sono negativi è hanno
un ordine di grandezza maggiore e quindi un ordine di grandezza inferiore nel tempo di esposizione. Mentre per quanto riguarda i resist negativi, quelli più utilizzati nella fabbricazione di maschere
lasensibiltà sensibilitàcosì arrivabasse fino acome 10<sup>-6</sup> C/cm<sup>2</sup>.
 
Attualmente tale tecnologia non sia utilizzabile per la produzione su larga scala di aree con elevata densità di area esposta. Il procedimento di scrittura essendo seriale rende la generazione delle strutture estremanente lenta; la litografia ottica è invece una tecnica parallela, anche se gli stepper riducenti sono parzialmente seriali e ogni area sequenziale esposta è di molti mm<sup>2</sup>. Quindi uno stepper con riduzione 5X impiega pochi minuti per esporre un wafer di 300 mm, mentre per ottenere la stessa esposizione con la litografia elettronica con una risoluzionde di 100 nm, sono necessari giorni di esposizione.