Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Diffusione: differenze tra le versioni

La '''diffusione termica''' rappresenta da sempre la più comune tecnica di drogaggio selettivo del silicio, prima dell’avvento dell’impiantazione ionica, tuttora tale tecnica è utilizzata in alcuni processi. Il metodo di diffusione consiste nel disporre gli atomi di drogante sulla superficie o vicino alla superficie della fetta per mezzo di deposizione da fase gassosa del drogante, oppure utilizzando sorgenti di ossido drogato. La regione da drogare viene selezionata utilizzando una maschera di photoresist. La diffusione vera e propria del drogante, viene attivata portando i wafer di silicio a temperature superiori a 1000 °C. Una volta raggiunta la concentrazione desiderata, è sufficiente abbassare la temperatura dei wafer, estraendoli dalla forno, per bloccare rapidamente il processo.