Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Wet etch: differenze tra le versioni

Come già accennato la principale caratteristica degli attacchi wet è l'isotropia, la velocità di rimozione (rate di rimozione) verticale è uguale a quella laterale. Spesso accade però, che il rate di rimozione laterale sia leggermente maggiore rispetto a quello verticale, questo perché, mentre verticalmente l'etch si ferma quando incontra il substrato di silicio, lateralmente la quantità di materiale che può essere attaccata chimicamente è maggiore.

 

 

Si vanno ora ad analizzare i processi di etch di diversi materiali utilizzati nella realizzazione dei dispositivi. Verrano prese in considerazione le diverse soluzioni acide utilizzate e le reazioni chimiche coinvolte.