Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica: differenze tra le versioni
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[[Image:Spinner.jpg|thumb|200px|right|Un esempio di ''spin coater'']]
Il fotoresist è una particolare sostanza chimica usata nei processi di fotoincisione. Questa sostanza è sensibile alle radiazioni luminose (in particolar modo ai raggi UV) e altera le sue proprietà chimiche se sottoposto a tali radiazioni. Per l'applicazione sui wafer, il fotoresist viene versato in poche gocce sulla superficie del wafer stesso che successivamente viene fatto ruotare con una elevata velocità angolare attorno al suo centro,
[[w:Spin_coating|spin coating]], di cui non esiste una efficace traduzione in italiano. Le velocità angolari tipiche vanno da 1000 giri al minuto fino a 6000 giri al minuto. La durata caratteristica di tale rotazione è dell'ordine del minuto. La diluizione del resist, come la velocità angolare, influenzano lo spessore del resist; tale spessore può andare da frazioni di [[w:Micron|micron]] a qualche micron. Aumentare la velocità di rotazione diminisce lo spessore del resist.
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:Nel primo caso la maschera e la fetta possono essere a diretto contatto o molto vicine, ma comunque separate.
:Il primo metodo ottiene una risoluzione migliore (circa <math>1 \mu m\ </math>) ma è soggetta all’inconveniente provocato dalla possibile presenza delle particelle di polvere, che se presenti sulla fetta, possono essere inclusi nella maschera quando viene posta a contatto danneggiandola in maniera permanente.
:Per eliminare il problema delle particelle si utilizza il metodo di esposizione per prossimità, in cui la maschera viene distanziata dalla fetta di una spaziatura di <math>10-50\mu m\ </math>. Questo metodo ottiene una risoluzione inferiore (<math>1-5\mu m\ </math>) per effetto del fenomeno della [[w:Diffrazione_(fisica)|diffrazione]] ai bordi delle sagome presenti sulla maschera. Si nota infatti che quando la luce passa in vicinanza dei bordi delle sagome opache, subisce una deviazione dalla direzione rettilinea (diffrazione), e parte della luce invade anche le zone d’ombra. Tuttavia anche questo metodo non garantisce di evitare completamente il danneggiamento della maschera,
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[[Image:EVG-620 & MA-150 steppers at LAAS (FDLS 2007) 0438.jpg|thumb|250px|Due diversi stepper'']]
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