Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili: differenze tra le versioni

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Esistono due metodologie generali di deposizione di film sottili: la deposizione fisica da fase vapore (''Physical vapor deposition'': PVD) e la deposizione chimica da fase vapore (''Chemical Vapor Deposition'': CVD).
 
 
 
=== Elettromigrazione ===
L'elettromigrazione è un fenomeno di trasporto di atomi dovuti alla densità di corrente. Più uno schema diviene piccolo e più la densità di corrente aumenta, e quindi aumenta questo fenomeno.
 
 
 
=== Metallizzazione ===
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:Questo complica un po il processo, infatti per evitare che il rame si diffonda nel silicio si aplica una barriera attorno al rame di Ta.
;I suoi grani cambiano nel tempo.
 
 
 
=== Damascene ===
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Il metodo che invece andiamo ora a descrivere prende il nome di "Damascee" fa infatti l'esatto contrario. Inizialmente mette l'ossido; in seguito viene effettuato un processo di Etch; infine, viene depositato il rame e poi viene meccanicamente eliminato la parte in eccesso.(fig.2) [[File:addiz.jpg|300px|thumb|right|Fig.2 Damascene]]
Iterando il procedimento per più strati si ha il Dual Damascene.
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