Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering: differenze tra le versioni

L’uso della RF permette di mantenere il plasma senza ricorrere all’emissione termoionica (Fig. y). Per generare un plasma efficiente occorre che il valore della RF sia maggiore di 10 MHz. Per un sistema di sputtering a diodo viene utilizzata la frequenza, permessa, di 13,56 MHz.

 

 

I vantaggi dell’uso di un plasma in RF rispetto al diodo o triodo convenzionale sono: